BL -HE-KTM1901 Düşük Güçlü Lineer Hall Sensörü
BL -HE-KTM1901
Doğrusal Hall sensörünün çıkışı, manyetik alanın gücüyle doğrusal olarak ilişkilidir, bu da ölçüm sonuçlarının anlaşılmasını ve işlenmesini kolaylaştırır. Ölçüm için Hall etkisi kullanıldığından sensörün ölçüm nesnesiyle doğrudan temas halinde olması gerekmez, dolayısıyla temassızdır.
Minimum sipariş
1 Parça
Miktar:
doğrusal salon sensörü çıkışı, manyetik alanın gücüyle doğrusal olarak ilişkilidir, bu da ölçüm sonuçlarının anlaşılmasını ve işlenmesini kolaylaştırır. Ölçüm için Hall etkisi kullanıldığından sensörün ölçüm nesnesi ile doğrudan temas halinde olması gerekmez, dolayısıyla temassızdır. Düşük güçlü doğrusal salon anahtarının mekanik parçası yoktur, bu nedenle yanıt hızı genellikle daha hızlıdır.
Lineer Hall sensörleri endüstriyel makine konum ölçümü, hız ölçümü, akım ölçümü, manyetik alan ölçümü, otomotiv fren/gaz pedalı uygulamaları ve tüketici elektroniği gibi çeşitli alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Avantajları arasında yüksek stabilite, yanıt verme yeteneği, hızlı hız, temassız ölçüm vb. yer alır.
BL-HE-KTM1901 düşük güçlü doğrusal Hall sensörü, tünel manyetodirenç (TMR) teknolojisi ile CMOS teknolojisini entegre eder. Çipin iç devresi bir voltaj jeneratörü, karşılaştırıcı, dijital mantık kontrol modülü, eşik düzeltme modülü ve CMOS çıkış devresini içerir.
- Model Numarası:BL -HE-KTM1901
- Tür: salon etkisi sensörü
- Marka Adı: GBeelee
- Teori:(TMR) teknolojisi ve CMOS teknolojisi
- Çıkış: CMOS itme-çekme çıkışı
- Besleme voltajı: 1,8 V~5,5 V
- Çıkış düşük seviyesi: 0,05-0,15V
- Çıkış yüksek seviyesi: VDD-0.15
- ortalama akım: 160nA
- Uyandırma durumu akımı: 3.4uA
- Uyku durumu akımı: 148nA
- Uyanma zamanı: 40us
- döngü: 20 ms



| Electrical parameters (@ TA=+25 ℃, VDD=3.0V, unless otherwise specified) | ||||||
| BL-HE-KTM1901SX series | ||||||
| Symbol | Parameter Description | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| VDD | Supply voltage | Operating | 1.8 | — | 5.5 | V |
| VOL | Output low level | IOUT=1mA | — | 0.05 | 0.15 | V |
| VOH | Output high level | IOUT=1mA | VDD-0.15 | VDD-0.05 | — | V |
| IDD(AVG) | average current | TA=+25℃, VDD=3.0V | — | 160 | — | nA |
| IDD(Awake) | Wake up state current | TA=+25℃, VDD=3.0V | — | 3.4 | — | μA |
| IDD(Sleep) | Sleep state current | TA=+25℃, VDD=3.0V | — | 148 | nA | |
| TAWAKE | Wake up time | Operating | — | 40 | — | μs |
| TPERIOD | cycle | Operating | — | 20 | — | ms |
| BL-HE-KTM1901TX series | ||||||
| Symbol | Parameter Description | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| VDD | Supply voltage | Operating | 1.8 | — | 5.5 | V |
| VOL | Output low level | IOUT=1mA | — | 0.02 | 0.1 | V |
| VOH | Output high level | IOUT=1mA | VDD-0.1 | VDD-0.02 | — | V |
| IDD(AVG) | average current | TA=+25℃, VDD=3.0V | — | 3.4 | — | μA |
| FS | switching frequency | Operating | — | 1000 | — | Hz |








1.Q: Sizden örnek alabilir miyim?
C: Evet, testiniz için ücretsiz numuneler sağlayabiliriz, lütfen ücretsiz olarak bizimle iletişime geçin ve hangi ürüne ihtiyacınız olduğunu bize bildirin.
2.Q: Özelleştirmeyi kabul ediyor musunuz?
C: Evet, özelleştirme kabul edilebilir, lütfen danışmak için satış ekibimizle iletişime geçin.
3.Q:Teknik sorunlarda yardım sağlayabilir misiniz?
C: Evet, elektronik anahtar endüstrisinde 15 yıldan fazla araştırma ve geliştirme sürecimiz var. Satın alma sürecinde teknik yardıma ihtiyacınız varsa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin
4.Q: Kaç çeşit anahtarınız var ve kaliteniz ne durumda?
C: Seçiminiz için 10 farklı anahtar tipimiz var, tüm ürünlerimiz ROHS ve REACH'ten geçmektedir, lütfen kalite standardınızı kesinlikle karşılayabileceğimize güvenin.
5.Q: Fotoelektrik anahtarınızın avantajları nelerdir?
C: Fotoelektrik anahtarımız mekanik olmayan tetiklemedir, sinyali daha kararlı ve güvenilir hale getirir ve hassas yerleşik açı kılavuz yapısı, yüksek tetikleme açısı tutarlılığı sağlar.
SEND MESSAGE
Comprehensive score