BL -HE-KTM1901 저전력 선형 홀 센서

BL -HE-KTM1901

선형 홀 센서의 출력은 자기장의 강도와 선형적으로 관련되므로 측정 결과를 더 쉽게 이해하고 처리할 수 있습니다. 측정에는 홀 효과를 이용하기 때문에 센서가 측정 대상에 직접 접촉할 필요가 없으므로 비접촉식입니다.

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선형 홀 센서의 출력은 자기장의 강도와 선형적으로 관련되므로 측정 결과를 더 쉽게 이해하고 처리할 수 있습니다. 측정에는 홀효과(Hall Effect)를 이용하므로 센서가 측정대상에 직접 접촉할 필요가 없으므로 비접촉식입니다. 저전력 선형 홀 스위치에는 기계 부품이 없으므로 일반적으로 응답 속도가 더 빠릅니다.

선형 홀 센서는 산업 기계 위치 측정, 속도 측정, 전류 측정, 자기장 측정, 자동차 브레이크/가속 페달 애플리케이션, 가전제품 등 다양한 분야에서 널리 사용됩니다. 높은 안정성, 응답성, 빠른 속도, 비접촉 측정 등이 장점입니다.

BL-HE-KTM1901 저전력 선형 홀 센서는 TMR(터널 자기 저항) 기술과 CMOS 기술을 통합합니다. 칩의 내부 회로에는 전압 발생기, 비교기, 디지털 논리 제어 모듈, 임계값 보정 모듈 및 CMOS 출력 회로가 포함됩니다.

모델 번호 : BL -HE-KTM1901
유형: 홀 효과 센서
브랜드 이름:GBeelee
이론:(TMR) 기술 및 CMOS 기술
출력:CMOS 푸시-풀 출력
공급 전압: 1.8V~5.5V
출력 낮은 수준: 0.05-0.15V
출력 하이 레벨: VDD-0.15
평균 전류: 160nA
웨이크 업 상태 전류: 3.4uA
수면 상태 전류: 148nA
기상 시간: 40us
주기: 20ms

Electrical parameters (@ TA=+25 ℃, VDD=3.0V, unless otherwise specified)
BL-HE-KTM1901SX series
Symbol	Parameter Description	Test Conditions	Min	Typ	Max	Units
VDD	Supply voltage	Operating	1.8	—	5.5	V
VOL	Output low level	IOUT=1mA	—	0.05	0.15	V
VOH	Output high level	IOUT=1mA	VDD-0.15	VDD-0.05	—	V
IDD(AVG)	average current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	160	—	nA
IDD(Awake)	Wake up state current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	3.4	—	μA
IDD(Sleep)	Sleep state current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	148		nA
TAWAKE	Wake up time	Operating	—	40	—	μs
TPERIOD	cycle	Operating	—	20	—	ms
BL-HE-KTM1901TX series
Symbol	Parameter Description	Test Conditions	Min	Typ	Max	Units
VDD	Supply voltage	Operating	1.8	—	5.5	V
VOL	Output low level	IOUT=1mA	—	0.02	0.1	V
VOH	Output high level	IOUT=1mA	VDD-0.1	VDD-0.02	—	V
IDD(AVG)	average current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	3.4	—	μA
FS	switching frequency	Operating	—	1000	—	Hz