BL -HE-KTM1901 低消費電力リニアホールセンサー

BL -HE-KTM1901

リニアホールセンサーの出力は磁場の強さと直線的に関係しているため、測定結果の理解と処理が容易になります。ホール効果を利用して測定するため、センサーを測定対象物に直接接触させる必要がなく、非接触で測定できます。

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リニアホールセンサーの出力は磁場の強さと直線的に関係しているため、測定結果の理解と処理が容易になります。ホール効果を利用して測定するため、センサーを測定対象物に直接接触させる必要がなく、非接触で測定できます。低電力リニアホールスイッチには機械部品がないため、通常は応答速度が速くなります。

リニアホールセンサは、産業機械の位置測定、速度測定、電流測定、磁界測定、自動車のブレーキ/アクセルペダル用途、家電製品など、さまざまな分野で広く使用されています。高い安定性、応答性、高速性、非接触測定などの利点があります。

BL-HE-KTM1901 低電力リニアホールセンサーは、トンネル磁気抵抗 (TMR) テクノロジーと CMOS テクノロジーを統合しています。チップの内部回路には、電圧発生器、コンパレータ、デジタルロジック制御モジュール、閾値補正モジュール、CMOS出力回路が含まれています。

モデル番号:BL-HE-KTM1901
タイプ: ホール効果センサー
ブランド名:GBeelee
理論：（TMR）技術とCMOS技術
出力:CMOSプッシュプル出力
電源電圧:1.8V〜5.5V
出力ローレベル:0.05-0.15V
出力ハイレベル:VDD-0.15
平均電流:160nA
ウェイクアップ状態電流: 3.4uA
スリープ状態電流:148nA
起床時間:40us
周期:20ms

Electrical parameters (@ TA=+25 ℃, VDD=3.0V, unless otherwise specified)
BL-HE-KTM1901SX series
Symbol	Parameter Description	Test Conditions	Min	Typ	Max	Units
VDD	Supply voltage	Operating	1.8	—	5.5	V
VOL	Output low level	IOUT=1mA	—	0.05	0.15	V
VOH	Output high level	IOUT=1mA	VDD-0.15	VDD-0.05	—	V
IDD(AVG)	average current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	160	—	nA
IDD(Awake)	Wake up state current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	3.4	—	μA
IDD(Sleep)	Sleep state current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	148		nA
TAWAKE	Wake up time	Operating	—	40	—	μs
TPERIOD	cycle	Operating	—	20	—	ms
BL-HE-KTM1901TX series
Symbol	Parameter Description	Test Conditions	Min	Typ	Max	Units
VDD	Supply voltage	Operating	1.8	—	5.5	V
VOL	Output low level	IOUT=1mA	—	0.02	0.1	V
VOH	Output high level	IOUT=1mA	VDD-0.1	VDD-0.02	—	V
IDD(AVG)	average current	TA=+25℃, VDD=3.0V	—	3.4	—	μA
FS	switching frequency	Operating	—	1000	—	Hz