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scr シリコン制御整流器とは

BL-SAN-L79L12 シリーズの 3 端子負レギュレータ半導体 SCR シリコン制御整流器

BL-SAN-L79L12
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  • タイプ:半導体
  • 原産地:CN
  • 認証:RohS
  • ブランド名:ビーリー
  • モデル番号:BL-SAN-L79L12
  • 最大。電流:0.5A
  • 最大。電圧:220VDC

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BL-SAN-L79L00 シリーズの 3 端子負レギュレータは、内部電流制限とサーマル シャットダウンを採用しているため、本質的に破壊されません。適切なヒートシンクがあれば、最大 100 mA の出力電流を供給できます。これらは、シングルポイント調整に関連するノイズや配電の問題を排除するためのローカルまたはオンカード調整を含む、幅広いアプリケーションでの固定電圧調整器として意図されています。さらに、パワーパス素子と組み合わせて高電流電圧レギュレータを作成することもできます。

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01. BL-SAN-L79L00 シリーズは、ツェナー ダイオード/抵抗器の組み合わせの代替品として使用され、通常 2 桁のマグネチュードの効果的な出力インピーダンスの改善と、より低い自己消費電流とより低いノイズを提供します。

02.TO-220ACおよびTO-247LLで利用可能なSiCダイオードは、超高性能パワーショットキー整流器です。炭化ケイ素基板を使用して製造されています。ワイド バンド ギャップ材料により、定格 1200 V の低 VF ショットキー ダイオード構造を設計できます。

03.ショットキー構造のため、ターンオフ時の回復がなく、リンギングパターンも無視できます。最小限の容量性ターンオフ動作は、温度に依存しません。

04.特に PFC および二次側アプリケーションでの使用に適しており、この ST SiC ダイオードは、ハード スイッチング条件での性能を向上させます。この整流器は、対象アプリケーションのパフォーマンスを向上させます。その高い順方向サージ能力により、過渡段階で優れた堅牢性が確保されます。


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シンボル試験条件最小。典型的な最大。ユニット
ヴォTj=25℃-11.1-12-12.9Ⅴ
ヴォIo = 1 ~ 40 mA Vi = -14.5 ~ -27 V
Io=1~70mA Vi=-19V
-10.8
-10.8
---13.2
-13.2
Ⅴ
Ⅴ
ヴォVi = 14.5 ~ -27 V Tj = 25℃ Vi = -16 ~ -27 V Tj = 25℃----250
200
mV
mV
ヴォIo=1~100mA Tj=25℃
Io=1~40mA Tj=25℃
----100
50
mV
mV
IDTj=25℃
Tj=125℃
----6.5
6
mA
mA
IDイオ=1~40mA----0.2mA
IDVi = -16 ~ -27 V----1.5mA
えんB=10Hz~100KHz Tj=25℃--80--µV
SVRIo = 40mA f = 120Hz
Tj=25℃
Vi = -15 ~ -25 V
3642--dB
Vd--1.7--Ⅴ

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